SI4412DY-T1-GE3 datasheet
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>> SI4412DY-T1-GE3 MOSFET 30V 7.0A 2.5W 28mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI4412DY-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 30V 7.0A 2.5W 28mohm @ 10V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 30V 7.0A 2.5W 28mohm @ 10V
SI4412DY-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
28 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8 Narrow
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI4412DY-T1-GE3
SI4413ADY-T1-E3
SI4413ADY-T1-GE3
SI4413CDY-T1-GE3
SI4413DY-T1
SI4413DY-T1-E3
供应商
公司名
电话
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳成德兴科技有限公司
0755-82567711
马庆勇
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市百域芯科技有限公司
400-666-5385
林S
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
彭银平
彭银平
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
CICI
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
北京天阳诚业科贸有限公司
17862669251
洪先生
SI4412DY-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
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